《電子薄膜技術(shù)專利分析報告》是2015年中國專利技術(shù)開發(fā)公司編寫的全球膜技術(shù)專利分析系列報告之一。本報告通過對電子薄膜技術(shù)的全球?qū)＠椭袊鴮＠夹g(shù)進行統(tǒng)計分析，并結(jié)合相關(guān)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)進行關(guān)聯(lián)分析研究，從而從專利的角度詮釋電子薄膜技術(shù)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢、創(chuàng)新主要來源國的技術(shù)差異、主要技術(shù)擁有者的專利布局等，從而為政府和電子薄膜技術(shù)相關(guān)企業(yè)創(chuàng)新資源配置和專利布局提供參考。
一、2009年開始電子薄膜領(lǐng)域全球?qū)＠夹g(shù)公開量進入快速增長期
2009年開始電子薄膜領(lǐng)域全球?qū)＠夹g(shù)公開量進入快速增長期，年均增長率達26.4%。全球?qū)＠夹g(shù)公開量的快速增長主要得益于中國市場的快速增長。
二、日本在電子薄膜領(lǐng)域優(yōu)勢明顯
1、日本是電子薄膜技術(shù)全球最大的專利來源國
電子薄膜領(lǐng)域全球?qū)＠?6%來源于日本，遙遙領(lǐng)先于其他國家或地區(qū)；分析其原因主要包括以下幾個方面：1.日本擁有眾多的電子薄膜跨國企業(yè)，特別是東麗、松下電器、普利司通等；2.日本專利申請數(shù)量大還與日本的專利制度有關(guān)，由于日本對單一性的嚴格要求，其他國家中允許在一個專利中進行申請的技術(shù)方案在日本進行申請時需要分成幾個專利申請。
注：專利來源國是指一項專利首次申請的國家及地區(qū)，該信息在一定程度上代表了技術(shù)輸出國，反映了該國的技術(shù)創(chuàng)新能力和活躍程度。
2、日本在電子薄膜領(lǐng)域技術(shù)起步較早
日本來源國早在1985-1989年這一時間段內(nèi)公開量高達183項，遠高于其他主要來源國，表明日本在電子薄膜領(lǐng)域技術(shù)起步較早，在2010-2014年這一時間段內(nèi)公開量達到406項。中國來源國在2010-2014年公開量高達548項，高于日本來源國在該時間段的公開量。
3、日本企業(yè)申請人在電子薄膜領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位
日本申請人占據(jù)8個席位，且公開量排名前六的申請人均為日本申請人，尤其是日本東麗，其專利技術(shù)公開量高達535項，遠高于其他申請人，可見日本企業(yè)申請人在電子薄膜領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。
三、中國在電子薄膜領(lǐng)域起步晚
1、電子薄膜領(lǐng)域中國對外專利布局意識薄弱
電子薄膜領(lǐng)域中國域外同族布局指數(shù)僅為0.02，遠不及德國、美國、韓國和日本。中國的專利制度建立相對較晚，相對于美日德等專利強國，專利保護意識相對薄弱，尤其是域外布局非常薄弱。近幾年，隨著中國創(chuàng)造逐漸走出國門，域外專利布局成為產(chǎn)品出口保駕護航的利器，因而中國還需加強對目標市場的專利申請。
注：域外同族布局指數(shù)定義為在除本國外的其他國家公開的專利數(shù)量/本國原創(chuàng)申請數(shù)量，體現(xiàn)一個國家在本國之外進行專利布局的能力。
2、國內(nèi)申請人在電子薄膜領(lǐng)域的專利申請起步較國外晚
國內(nèi)申請人在電子薄膜領(lǐng)域的專利申請起步較國外晚，均在2010-2014年時間段內(nèi)公開，進一步分析發(fā)現(xiàn)國內(nèi)申請人的專利申請基本都集中在2012-2014年間公開，在申請量方面具有優(yōu)勢的安徽江威精密制造有限公司和蕪湖金鷹機械科技開發(fā)有限公司，他們所有的專利申請均是在2014年公開。
3、近些年國內(nèi)申請人在電容器用電子薄膜領(lǐng)域的研發(fā)重點在于金屬化膜
電容器用電子薄膜分支2014年全球?qū)＠夹g(shù)的公開量高達248項；2014年電容器用電子薄膜全球?qū)＠夹g(shù)排名前十的申請人中，中國申請人占據(jù)9個席位，日本申請人占據(jù)1個席位。除安徽狀元郎電子科技有限公司的其余9個中國申請人涉及的領(lǐng)域均為金屬化膜，反映出近些年國內(nèi)申請人的研發(fā)重點在于金屬化膜。
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